HIOKI IM3536 4Hz ~ 8MHz, LCR미터, LCR METERIM3536 - Z, Y, θ X, G, B, Q, Rdc (직류 저항), Rs (ESR), Rp, Ls, Lp, Cs, Cp, D (tanδ), σ, ε
UNI UPW200-18 DC파워서플라이 200V, 18A, 3.6KW, 2U DC전원공급기유니 - UPW200-18 프로그래머블DC파워서플라이 0~200V/0~18A/3.6KW/2U DC전원공급기 RS232, RS485, LAN, Remote Sensing
ITECH IT8912E-150-1200 DC전자로드 150V, 1200A, 12kW, 8UIT8912E-150-1200 고성능 고전력 DC 전자로드 150V/1200A/12kW (8U), Built-in LAN, USB, RS232, CAN, External analog control interface
TEKTRONIX MDO3014 오실로스코프 4CH, 100MHz, 2.5GS, 10M, 디지탈16텍트로닉스 키슬리 - MDO3014 4채널 디지탈오실로스코프 4CH/100MHz/2.5GS/10M/디지탈16
OWON AG1011 임의 파형발생기 1채널, 10MHz, 125MS/s오원 저주파 임의 파형발생기, 1채널, 10MHz, 125MS/s, USB 인터페이스
HAROGIC SAE-200, USB 스펙트럼분석기 9kHz - 20.0 GHz, 100MHz 대역폭, 1.2THz/sHAROGIC-SAE-200, USB 초소형 리얼타임 스펙트럼분석기 9kHz - 20.0 GHz, 100MHz 대역폭, 1.2THz/s sweep speed, USB3.0 USB스펙트럼분석기
HIOKI IR4013-11 500V/100Mohm, 아날로그 메가옴 하이테스터HIOKI IR4013-11 - 500V/100MΩ, L9787 포함, 아날로그 메가옴 하이테스터
YOKOGAWA GM10 요꼬가와 데이터로거 10유닛(최대100채널)GM10 - 요꼬가와 데이터로거 데이타수집, 10유닛(최대100채널), TCP/IP기본내장
FLIR T540(24도+14도) DFOV 열화상카메라 464X348 IR,928X696, -20~1,500CT540(24°+14°) 열화상카메라 (464X348 IR 해상도, 0.03°C NETD , 5M DC & 928X696 해상도 Ultramax, -20~1,500°C)
TEKTRONIX 2790-L/E 소스미터,에어백테스트, 스위치시스템 40CH/DMM, WITH ONE LOW V텍트로닉스 키슬리 - 2790-L/E 소스미터,에어백테스트, 스위치시스템,고속저항,고저항측정,(WITH ONE LOW V)
ATTEN ST-1203D 고급형 고주파 납땜인두기, 솔더링 스테이션 120W, 80C~500CATTEN ST-1203D 고급형 고주파 납땜인두기, 솔더링 스테이션 120W, 80C~500C
[Lorentz-3EM] Ion Implanter 해석 적용을 위한 간이 모델링 소개 > 자료실

자료실

전자기장분석 [Lorentz-3EM] Ion Implanter 해석 적용을 위한 간이 모델링 소개

Lorentz-3EM을 국내에 공급하면서 Electric Field, Magnetic Field를 함께 운용하는 경우가 최근 많이 요구되고 있습니다.

이 두가지 장을 함께 적용하는 Particle Trajectory의 아주 좋은 사례로 ion implanter의 모형을 소개하고자 합니다.


우선 ion implantation에 대한 전반적인 이해를 위하여 아래 링크를 참조하시면 합니다.

https://en.wikipedia.org/wiki/Ion_implantation 


여기서 모형도를 참조하고 이를 Lorentz-3EM으로 구성해 보았습니다.

f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620650209_0922.png

그림1 : Ion Implanter의 개념도(출처:wikepedia)



1차로 Electric 모드에서 Ion source의 이온(입자, 빔)을 방출(가속)합니다. 

공간전하 모드를 반영하여 이온(빔)의 가속 조건을 선택적으로 계산 할 수 있도록 합니다.

f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620650851_4205.png
 그림2 : Electric 모드에서 공간전하 계산



2차로 Magnetic 모드에서 코일에 전류를 인가하여 자계를 형성 합니다. 

이온(빔)은 자기장 구간을 지나면서 특정 궤적을 형성 하게 됩니다.   


f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620650963_3887.png

그림3: Magnetic 모드에서 코일전류 인가를 통한 자기장 계산 
 

3차로 Trajectory 모드에서 가속된 이온(빔)이 전기장 구간을 통과 하면서 특정 궤적이 모의됩니다.

f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620651134_6501.png

그림4: Trajectory 모드에서 이온(빔)이 전기장, 자기장을 통과 하면서 특정 궤적을 형성함을 계산


기본적인 구성이 완료된 이후 Trajectory 모드에서 그림4와 같이 계산되는 것을 확인 하고 영구자석을 이용하여 이온(빔) 궤적이 변화됨을 확인 할 수 있습니다.



f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620653038_5425.png

그림5: 영구자석을 이용한 이온(빔) 궤적 변화 모의 예



영구자석의 위치가 변함에 따라 이온(빔) 궤적이 변화됨을 계산 할 수 있습니다.

아래 그림6,7,8에서 영구자석의 위치를 주목하고 위치에 따라 이온(빔)들이 어떠한 형태의 궤적을 형성하는지 확인해 볼 수 있습니다.

f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620653362_3864.png 

그림 7: 영구자석 A 위치에서의 이온(빔)궤적


f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620653367_3992.png 

그림 7: 영구자석 B 위치에서의 이온(빔)궤적


f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620653372_4158.png

그림 8: 영구자석 C 위치에서의 이온(빔)궤적



감사합니다.

  • 날짜: 21-05-10 22:22
  • 조회: 13196

댓글목록