TEKTRONIX DMM7510 7.5디지트 탁상형 고분해능 정밀 디지털멀티미터(DMM)텍트로닉스 키슬리 - DMM7510 7.5디지트 DC V : 0.0014%/DC A: 0.0060% /저항: 0.0024% / GPIB/USB(TMC)/LAN(LXI)
GWINSTEK PEL-5012C-1200-480 고용량 DC전자로드 1200V,480A,12KW DC전자부하굿윌인스텍 - PEL-5012C-1200-480 고용량 DC전자로드 1200V/480A/12KW DC전자부하
ITECH IT7909-350-90 회생 AC그리드 시뮬레이터 350V, 90A, 9KVA, 단상, 3상 (3U)IT7909-350-90 회생 AC그리드 시뮬레이터 350V, 90A, 9KVA, 1Φ or 3Φ (3U), Built-in USB, CAN, LAN, Digital IO interface, optional GPIB , Analog&RS232
OWON FDS3102 2채널, 100MHz, 2.5GS/s 8비트 오실로스코프 파형발생기, 파워서플라이, 멀티미터오원 FDS3102 100MHz, 2채널, 2.5GS/s 8비트, USB, LAN 인터페이스
TEKTRONIX AFG31052 임의파형발생기,함수발생기 2채널, 50MHz, 500MSa/s, 16Mpts텍트로닉스 키슬리 - AFG31052 임의파형발생기,함수발생기 2채널/50MHz/500MSa/s/16Mpts
RIGOL RSA3045 9kHz-4.5GHz, -102dBc/Hz, RBW 1Hz 스펙트럼 아날라이저리골 RSA3045 - 9kHz ~ 4.5GHz의 주파수 범위와 최대 40MHz 실시간, 10Hz ~ 10MHz RBW, 1024x600 10.1" 터치디스플레이 실시간 스펙트럼 분석기
HIOKI IR4052-50 50~1000V, 디지털 절연저항계, Digital Insulation TesterIR4052-50 - 즉각 판정으로 한눈에 알 수 있는 콤퍼레이터 기능 탑재, 고속타입
FLUKE 51-2 60Hz 정품 디지털 온도계 51 II, 접촉식 온도계플루크 51-2 정품 플루크 디지털 온도계 51II, 접촉식 온도계 (1 채널)
FLIR T560(14도) 열화상카메라 640X480 IR,1,280X960, -20~1,500CT560(14°) 열화상카메라 (640X480 IR 해상도, 0.04°C NETD , 5M DC & 1,280X960 해상도 Ultramax, -20~1,500°C)
TEKTRONIX 2470 디지탈소스미터 1CH, 1100V, 1A, 20W, 10fA, 100nV 전위가변기텍트로닉스 키슬리 - 2470 고전류 디지탈소스미터 1CH/1100V/1A/20W/10fA/100nV 전위가변기
ATTEN 납흡입기 AT E-330A (Black)납흡입기,납제거기, 수동석션, 330A (Black), Desoldering tool
[Lorentz-3EM] Ion Implanter 해석 적용을 위한 간이 모델링 소개 > 자료실

자료실

전자기장분석 [Lorentz-3EM] Ion Implanter 해석 적용을 위한 간이 모델링 소개

Lorentz-3EM을 국내에 공급하면서 Electric Field, Magnetic Field를 함께 운용하는 경우가 최근 많이 요구되고 있습니다.

이 두가지 장을 함께 적용하는 Particle Trajectory의 아주 좋은 사례로 ion implanter의 모형을 소개하고자 합니다.


우선 ion implantation에 대한 전반적인 이해를 위하여 아래 링크를 참조하시면 합니다.

https://en.wikipedia.org/wiki/Ion_implantation 


여기서 모형도를 참조하고 이를 Lorentz-3EM으로 구성해 보았습니다.

f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620650209_0922.png

그림1 : Ion Implanter의 개념도(출처:wikepedia)



1차로 Electric 모드에서 Ion source의 이온(입자, 빔)을 방출(가속)합니다. 

공간전하 모드를 반영하여 이온(빔)의 가속 조건을 선택적으로 계산 할 수 있도록 합니다.

f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620650851_4205.png
 그림2 : Electric 모드에서 공간전하 계산



2차로 Magnetic 모드에서 코일에 전류를 인가하여 자계를 형성 합니다. 

이온(빔)은 자기장 구간을 지나면서 특정 궤적을 형성 하게 됩니다.   


f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620650963_3887.png

그림3: Magnetic 모드에서 코일전류 인가를 통한 자기장 계산 
 

3차로 Trajectory 모드에서 가속된 이온(빔)이 전기장 구간을 통과 하면서 특정 궤적이 모의됩니다.

f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620651134_6501.png

그림4: Trajectory 모드에서 이온(빔)이 전기장, 자기장을 통과 하면서 특정 궤적을 형성함을 계산


기본적인 구성이 완료된 이후 Trajectory 모드에서 그림4와 같이 계산되는 것을 확인 하고 영구자석을 이용하여 이온(빔) 궤적이 변화됨을 확인 할 수 있습니다.



f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620653038_5425.png

그림5: 영구자석을 이용한 이온(빔) 궤적 변화 모의 예



영구자석의 위치가 변함에 따라 이온(빔) 궤적이 변화됨을 계산 할 수 있습니다.

아래 그림6,7,8에서 영구자석의 위치를 주목하고 위치에 따라 이온(빔)들이 어떠한 형태의 궤적을 형성하는지 확인해 볼 수 있습니다.

f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620653362_3864.png 

그림 7: 영구자석 A 위치에서의 이온(빔)궤적


f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620653367_3992.png 

그림 7: 영구자석 B 위치에서의 이온(빔)궤적


f52c6402afdf45a6bb17bade6641ffd0_1620653372_4158.png

그림 8: 영구자석 C 위치에서의 이온(빔)궤적



감사합니다.

  • 날짜: 21-05-10 22:22
  • 조회: 16641

댓글목록